收藏本站
Si5857DU
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
0.16
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.14
0.12
0.10
0.0 8
0.06
0.04
T A = 125 °C
T A = 25 °C
I D = 3.6 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1.3
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.2
1.1
1.0
0.9
0. 8
I D = 250 μA
25
20
15
10
5
0.7
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1 0 0 0
T J - Temperat u re ( °C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
IDM limited
Limited b y R DS(on) *
10
I D(on) limited
100 μ s
1
0.1
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS limited
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
Document Number: 73696
S09-2111-Rev. D, 12-Oct-09
www.vishay.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI5858DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI5903DC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI5905BDC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH D-S 8V 1206-8
SI5915BDC-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V CHIPFET 1206-8
SI5915DC-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
SI5933CDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 1206-8
SI5933DC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8
SI5935DC-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CH 20V 1206-8
相关代理商/技术参数
SI5858DU 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI5858DU-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 8.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5858DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI590 制造商:SILABS 制造商全称:SILABS 功能描述:1 ps MAX JITTER CRYSTAL OSCILLATOR
SI5902BDC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI5902BDC_10 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI5902BDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 4.0A 3.12W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5902BDC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 4.0A 3.12W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube